SIHP12N50E-GE3

型号： SIHP12N50E-GE3

品牌： VISHAY(威世)

封装： TO-220-3

包装：编带

包装数量： 1000

数量： 0

描述： N沟道MOSFET,电流:6.6A,耐压:500V

参数：漏源电压(Vdss):500V,连续漏极电流(Id):6.6A,导通电阻(RDS(on)):380mΩ@10V,6A,耗散功率(Pd):114W

PDF：查看PDF文档