SIHG105N60EF-GE3

型号： SIHG105N60EF-GE3

品牌： VISHAY(威世)

封装： TO-247-3

包装：编带

包装数量： 25

数量： 0

描述： N沟道MOSFET,电流:19A,耐压:600V

参数：漏源电压(Vdss):600V,连续漏极电流(Id):19A,导通电阻(RDS(on)):88mΩ@10V,13A,耗散功率(Pd):208W

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