SIHD6N80E-GE3

型号： SIHD6N80E-GE3

品牌： VISHAY(威世)

封装： TO-252AA

包装：编带

包装数量： 3000

数量： 0

描述： N沟道MOSFET,电流:5.4A,耐压:800V

参数：类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):800V,连续漏极电流(Id):5.4A,导通电阻(RDS(on)):820mΩ@10V,3A

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