SIHB17N80AE-GE3

型号： SIHB17N80AE-GE3

品牌： VISHAY(威世)

封装： D2PAK(TO-263)

包装：管装

包装数量： 50

数量： 0

描述： N沟道 MOSFET,电流:10A,耐压:800V

参数：类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):800V,导通电阻(RDS(on)):250mΩ@10V,8.5A,耗散功率(Pd):179W

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