SIHB11N80AE-GE3

型号： SIHB11N80AE-GE3

品牌： VISHAY(威世)

封装： D2PAK

包装：编带

包装数量： 1000

数量： 0

描述： N沟道 MOSFET,电流:5A,耐压:800V

参数：漏源电压(Vdss):800V,连续漏极电流(Id):5A,导通电阻(RDS(on)):391mΩ@10V,5.5A,耗散功率(Pd):78W

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