Product

SISH536DN-T1-GE3

型号: SISH536DN-T1-GE3
品牌: VISHAY(威世)
封装: PowerPAK1212-8SH
包装: 编带
包装数量: 3000
数量: 0
描述: N沟道 MOSFET,电流:67.4A,耐压:30V
参数: 类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):67.4A,导通电阻(RDS(on)):3.25mΩ@4.5V,10A