SIHB35N60E-GE3

型号： SIHB35N60E-GE3

品牌： VISHAY(威世)

封装： D2PAK(TO-263)

包装：管装

包装数量： 1000

数量： 0

描述： N沟道MOSFET,电流:32A,耐压:600V

参数：类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):600V,连续漏极电流(Id):32A,导通电阻(RDS(on)):82mΩ@10V,17A

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