1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:2.3A

SQS181ELNW-T1_GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:60A 电流:22.4A

1个P沟道 耐压:20V 电流:18A

1个N沟道 耐压:20V 电流:16A

1个N沟道 耐压:100V 电流:36.5A

N沟道,电流:28.6A,耐压:30V

1个P沟道 耐压:40V 电流:18A

1个P沟道 耐压:30V 电流:24.3A

2个N沟道 耐压:25V 电流:30.5A

1个N沟道 耐压:250V 电流:12.3A

1个N沟道 耐压:20V 电流:14A

N沟道 MOSFET,电流:67.4A,耐压:30V

1个P沟道 耐压:20V 电流:111.9A

2个N沟道 耐压:20V 电流:6A

1个N沟道 耐压:30V 电流:162A

1个N沟道 耐压:30V 电流:35A

1个N沟道 耐压:20V 电流:162A

双N沟道,电流:4.8A,耐压:60V

1个N沟道 耐压:30V 电流:14A